威廉希尔
 集团首页
学术活动
您的当前位置: 网站首页 > 学术活动 > 正文

学术报告:高性能锂离子二次电池硅/锗薄膜电极的设计与制备


时间:2015/04/27 14:44:47来源:威廉希尔kyms点击量:
报告题目:高性能锂离子二次电池硅/锗薄膜电极的设计与制备

报 告 人:杨智博 博士 (兰州大学物理科学与技术学院)

报告时间:2015428日(星期二)下午16:30

主 持 人:刘 鹏 教授

报告地点:威廉希尔六层学术报告厅(致知楼3623-3624

报告摘要:开发具有高能量密度、高功率密度和长循环寿命的锂离子电池对于电动/混合动力汽车的普及、便携式电子设备的更新换代以及可再生能源的利用具有重要的意义。在室温下,SiGe的理论储锂比容量分别高达35791384 mA h/g,是最具发展潜力的大容量锂离子电池负极材料。但是,这类材料在锂离子嵌入和脱出的过程中通常伴随着超过300 %的体积形变,容易引起电极材料粉碎。同时,SiGe作为典型的半导体材料,其电导率较低,作为电极材料时倍率性能往往有待提高。本报告将主要介绍我们近年来在抑制SiGe 材料电极粉末化、提高SiGe 电极的循环稳定性和大倍率充放电性能方面的相关工作。

报告人简介:杨智博,兰州大学凝聚态物理专业博士研究生,主要从事硅薄膜光电性能优化以及硅、锗薄膜型锂离子电池负极材料的开发工作,以第一及第二作者发表SCI二区及以上论文14篇。

 

欢迎广大师生参加!

威廉希尔

2015427

版权所有©:威廉希尔williamhill·(中国)官网
地址:威廉希尔长安校区致知楼 | 邮编:710119 | 电话:029-81530750 | Email:wlbg@snnu.edu.cn